RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2200
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link