RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3843
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link