RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3442
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link