RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2902
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link