RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2597
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link