RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3422
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link