RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3635
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link