RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3728
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link