RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3823
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link