RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
44
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
39
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2513
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link