RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3737
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link