RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2800
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link