RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2800
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link