RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2989
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link