RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2199
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link