RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
117
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2302
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link