RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
117
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,303.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
1902
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link