RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3364
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link