RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3364
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link