RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
68
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2279
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link