RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
68
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2782
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link