RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
68
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
54
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2938
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link