RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
68
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2633
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link