RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
68
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3372
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link