RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
72
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1605
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link