RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3550
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link