RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
4012
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link