RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2821
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link