RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
76
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1260
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link