RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
63
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2078
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link