RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2831
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link