RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
3279
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link