RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
70
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2707
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link