RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
70
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3726
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link