RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
70
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3819
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link