RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
70
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3668
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link