RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
70
Wokół strony -169% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3486
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link