RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
70
Wokół strony -169% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3937
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link