RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
70
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2709
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link