RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
70
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1493
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link