RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
70
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3076
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link