RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
3,071.4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
70
Wokół strony -268% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3681
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link