RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3432
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link