RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2930
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link