RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2740
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link