RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3937
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link