RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2104
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link