RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2495
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link