RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
54
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
3529
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link