RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2575
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link