RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
AMD R7416G2133U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
78
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
78
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1594
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link