RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
63
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2107
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Jinyu 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link